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材料论坛——李丁博士 学术报告

发布时间:2018-09-19 14:15:00 点击:

南昌大学材料科学与工程学院

学术报告

 

报 告 人: 李丁    博士

报告题目: GaN基激光器关键结构生长及激射机制研究

时    间: 2018年9月21日(星期五)上午 10:00

地    点: 材A307

报告人简介:

中国科学院北京纳米能源与系统研究所副研究员。本科及博士分别毕业于天津大学(2006年)及北京大学(2012年)。博士毕业后先后于北京大学及德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所从事博士后研究。20178月入职中国科学院北京纳米能源与系统研究所,并入选中国科学院率先行动“百人计划”青年俊才、入选北京市第十三批海外高层次人才(“海聚工程”),及获聘“北京市特聘专家”。李丁博士拥有超过十年的GaN基激光器MOCVD生长经验,主要从事GaN基半导体激光器器件生长以及物理机制等方面的研究,取得了一系列原创性的成果。发表SCI论文27篇,SCI Q1论文7篇,作为第一作者、通讯作者在国际高水平刊物《Applied Physics Letters》发表论文3篇、《Optics Express》发表论文1篇。作为发明人获得发明专利7个,已经实现了专利转移孵化,目前无形资产评估专利总价值超过1400万元。

 

 

欢迎广大师生踊跃参加!

科技处  材料科学与工程学院 

2018年9月19日

 

 

报告摘要:

激光显示技术是第四代大色域显示技术、第五代“3D”显示技术的重要代表,将色彩的表现度由原来的30%左右大幅提高至90%,给人们带来全新的视觉享受,也被誉为二维显示终结技术,三维显示最佳光源,应用范围相当宽广。激光器光源是激光显示技术的核心器件,因而开发高品质的红、绿、蓝三原色激光器是激光显示的关键技术。

针对蓝、绿光GaN基激光器面临的科学难题和技术挑战,本次报告将重点阐述GaN基激光器相关的器件物理、MOCVD生长和特性等方面的分析研究,特别是从理论和实验多方面探索研究了GaN基激光器的激射机制。报告主要包括:1、在MOCVD生长方面,通过应力调控手段,将pAlGaN/GaN超晶格中Mg受主的激活能由150 meV降低至70 meV,空穴浓度提高23倍达1018 cm-3数量级。2、在优化材料生长的基础上,完成了GaN基激光器的MOCVD生长,全面提升了外延片的质量,实现了GaN基激光器的室温电注入激射,室温电注入情况下,光功率输出大于5 W,达到世界一流水平。3、在激光器特性研究方面,通过正向交流小信号法对GaN基激光器和其他材料系的半导体激光器进行了深入细致的研究,结合理论计算与光谱信息分析了激光器能级结构与宏观物理性质的关系;提出了GaN基激光器中激子辐射复合的激射机制。

 

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