郭宇铮教授应邀来我院开展学术报告,分享半导体的金属接触与费米钉扎效应

发布时间:2019-01-10 17:15:00 点击:

(本院讯 涂丹)1月9日下午材料学院举办材料论坛。来自武汉大学的郭宇铮教授应邀作了题为“半导体的金属接触与费米钉扎效应”的学术报告

郭宇铮教授本科就读于北京大学物理学院,随后获得剑桥大学工程博士并获。他围绕电子材料、电子器件、新型半导体材料、新能源材料等方面,长期从事理论计算模拟工作,目前已发表SCI论文60余篇,引用1000余次。他于2018年入选第十四批中组部“千人计划”青年项目,并入职武汉大学电气与自动化学院,担任教授、博士生导师。

报告中,郭教授以半导体工业界所关注的硅、锗材料的肖特基接触势垒问题为起点,首先介绍了其中常见的费米能级钉扎效应,接下来他讲述了引起传统半导体中费米能级钉扎效应的主要原因,以及调节接触界面附近的态密度对降低接触势垒的重要影响,并进一步推广介绍了二维材料的接触界面问题。随后他介绍了通过插入铋或锑薄层的方法,预期将能有效降低钉扎效应,改善接触。

来自材料学院的二十多位师生出席。论坛气氛活跃,在座的各位师生与郭教授就半导体材料中接触的复杂性、当前工业界关注的问题、铁电栅极等多个问题进行了热烈讨论,郭教授也就对实验上进行接触改善提供了一些有益的建议,并期望能与学院相关课题组开展理论与实验结合的合作。

 编辑:陈建琴


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